Análisis elipsométrico de nanoestructuras híbridas Semiconductor/Metal: Co/AlN/AL2O3 y AlN/Co/AlN/AL2O3

Resumen

Presentamos un estudio sobre las propiedades ópticas de nanoestructuras híbridas Co(10nm)/AlN(5nm) y AlN(10 nm)/Co(10 nm)/AlN(5 nm), crecidas mediante magnetrón evaporación catódica RF asistida por magnetrones, sobre sustratos de α-Al2O3(0001). La técnica de Espectroscopia Elipsométrica es empleada para obtener los parámetros elipsométricos (∆,Ψ), y a partir de estos determinar las funciones dieléctricas (ε1,ε2).La data experimental es analizada en el marco de modelo teórico de capas equivalentes, el cual consiste en las superposiciones parciales de las propiedades semiconductoras del AlN con las propiedades de transporte electrónico del Co. Estos sistemas poseen las propiedades intrínsecas básicas de los elementos constituyentes,sin embargo, para explicar las propiedades ópticas observadas a nivel de la nano-escala es necesario considerar procesos de relajación electromagnética adicionales, tales como dispersión de luz en las capas de AlN. Otro efecto interesante es el desplazamiento de las oscilaciones plasmónicas volumétricas del AlN y Co desde el UV, hacia la banda VIS en la nanoestructura.